制造商产品编号:
R6008ANX
Product Overview
制造商:
Rohm Semiconductor
零件编号:
R6008ANX-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
详细描述:
N-Channel 600 V 8A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220FM
库存:
12899843
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R6008ANX 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
ROHM Semiconductor
包装
Bulk
系列
-
产品状态
Not For New Designs
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
600 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
8A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
800mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4.5V @ 1mA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
680 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
50W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-220FM
包装 / 外壳
TO-220-3 Full Pack
基本产品编号
R6008
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
500
其他名称
846-R6008ANX
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
TK8A60W5,S5VX
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用数量
0
部件编号
TK8A60W5,S5VX-DG
单价
0.65
替代类型
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