制造商产品编号:
IXTP4N70X2M
Product Overview
制造商:
IXYS
零件编号:
IXTP4N70X2M-DG
描述:
MOSFET N-CH 700V 4A TO220
详细描述:
N-Channel 700 V 4A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab
库存:
24 件 新原装 现货
12820827
请求报价
数量
最低1
最低1
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
我们将在24小时内回复您
提交
IXTP4N70X2M 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Littelfuse
包装
Tube
系列
Ultra X2
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
700 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
4A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
850mOhm @ 2A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4.5V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
11.8 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
386 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
30W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-220 Isolated Tab
包装 / 外壳
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
基本产品编号
IXTP4
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
50
其他名称
IXTP4N70X2M-DG
-1402-IXTP4N70X2M
238-IXTP4N70X2M
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
Not Applicable
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
TK6A60W,S4VX
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用数量
45
部件编号
TK6A60W,S4VX-DG
单价
0.84
替代类型
Similar
零件编号
TK7A60W5,S5VX
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用数量
80
部件编号
TK7A60W5,S5VX-DG
单价
0.62
替代类型
Similar
零件编号
IPA70R750P7SXKSA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
76
部件编号
IPA70R750P7SXKSA1-DG
单价
0.71
替代类型
Similar
数字证书
相关产品
IXFH14N100Q2
MOSFET N-CH 1000V 14A TO247AD
IXFP24N60X
MOSFET N-CH 600V 24A TO220AB
IXFT58N20
MOSFET N-CH 200V 58A TO268