TK8A60W5,S5VX
制造商产品编号:

TK8A60W5,S5VX

Product Overview

制造商:

Toshiba Semiconductor and Storage

零件编号:

TK8A60W5,S5VX-DG

描述:

MOSFET N-CH 600V 8A TO220SIS
详细描述:
N-Channel 600 V 8A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS

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TK8A60W5,S5VX 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包装
Tube
系列
DTMOSIV
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
600 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
8A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
540mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4.5V @ 400µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
590 pF @ 300 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
30W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-220SIS
包装 / 外壳
TO-220-3 Full Pack
基本产品编号
TK8A60

数据表和文档

数据表
TK8A60W5

附加信息

标准套餐
50
其他名称
TK8A60W5S5VX
TK8A60W5,S5VX(M

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
STF11N65M5
制造商
STMicroelectronics
可用数量
4
部件编号
STF11N65M5-DG
单价
0.83
替代类型
Similar
零件编号
IPA60R600P7XKSA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
1
部件编号
IPA60R600P7XKSA1-DG
单价
0.56
替代类型
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零件编号
FCPF7N60
制造商
onsemi
可用数量
988
部件编号
FCPF7N60-DG
单价
1.08
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数字证书
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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