FCH043N60
制造商产品编号:

FCH043N60

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

FCH043N60-DG

描述:

MOSFET N-CH 600V 75A TO247-3
详细描述:
N-Channel 600 V 75A (Tc) 592W (Tc) Through Hole TO-247-3

库存:

12839481
请求报价
数量
最低1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
提交

FCH043N60 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
SuperFET® II
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
600 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
75A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
43mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
3.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
215 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
12225 pF @ 400 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
592W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-247-3
包装 / 外壳
TO-247-3
基本产品编号
FCH043

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
30
其他名称
ONSONSFCH043N60
2156-FCH043N60-OS

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
Not Applicable
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
SIHG64N65E-GE3
制造商
Vishay Siliconix
可用数量
0
部件编号
SIHG64N65E-GE3-DG
单价
7.48
替代类型
Similar
零件编号
IXTQ18N60P
制造商
IXYS
可用数量
0
部件编号
IXTQ18N60P-DG
单价
3.69
替代类型
Similar
零件编号
IXKR47N60C5
制造商
IXYS
可用数量
113
部件编号
IXKR47N60C5-DG
单价
15.34
替代类型
Similar
零件编号
IXKK85N60C
制造商
IXYS
可用数量
0
部件编号
IXKK85N60C-DG
单价
33.71
替代类型
Similar
零件编号
IXFH80N65X2
制造商
IXYS
可用数量
0
部件编号
IXFH80N65X2-DG
单价
8.17
替代类型
Similar
数字证书
相关产品
onsemi

FDPF12N50NZ

MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220F

onsemi

NTD15N06-001

MOSFET N-CH 60V 15A IPAK

onsemi

FDMS8622

MOSFET N-CH 100V 4.8A/16.5A 8QFN

onsemi

NTD70N03RG

MOSFET N-CH 25V 10A/32A DPAK