IXFH80N65X2
制造商产品编号:

IXFH80N65X2

Product Overview

制造商:

IXYS

零件编号:

IXFH80N65X2-DG

描述:

MOSFET N-CH 650V 80A TO247
详细描述:
N-Channel 650 V 80A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)

库存:

12821231
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IXFH80N65X2 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Littelfuse
包装
Tube
系列
HiPerFET™, Ultra X2
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
650 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
80A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
5.5V @ 4mA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
143 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±30V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
8245 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
890W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-247 (IXTH)
包装 / 外壳
TO-247-3
基本产品编号
IXFH80

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
30
其他名称
IXFH80N65X2XINACTIVE
IXFH80N65X2X-DG
632463
IXFH80N65X2X

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
FCH041N60E
制造商
onsemi
可用数量
130
部件编号
FCH041N60E-DG
单价
7.29
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