制造商产品编号:
SIHG64N65E-GE3
Product Overview
制造商:
Vishay Siliconix
零件编号:
SIHG64N65E-GE3-DG
描述:
MOSFET N-CH 650V 64A TO247AC
详细描述:
N-Channel 650 V 64A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247AC
库存:
12917532
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SIHG64N65E-GE3 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Vishay
包装
Tube
系列
-
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
650 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
64A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
47mOhm @ 32A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
369 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
7497 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
520W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-247AC
包装 / 外壳
TO-247-3
基本产品编号
SIHG64
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
500
其他名称
SIHG64N65E-GE3-DG
742-SIHG64N65E-GE3
环境与出口分类
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
APT60N60BCSG
制造商
Microchip Technology
可用数量
137
部件编号
APT60N60BCSG-DG
单价
15.64
替代类型
MFR Recommended
零件编号
IPW65R045C7FKSA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
1670
部件编号
IPW65R045C7FKSA1-DG
单价
6.73
替代类型
MFR Recommended
零件编号
TK62N60X,S1F
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用数量
102
部件编号
TK62N60X,S1F-DG
单价
5.71
替代类型
MFR Recommended
零件编号
TSM60NB041PW C1G
制造商
Taiwan Semiconductor Corporation
可用数量
2485
部件编号
TSM60NB041PW C1G-DG
单价
8.76
替代类型
MFR Recommended
数字证书
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