制造商产品编号:
IXTQ18N60P
Product Overview
制造商:
IXYS
零件编号:
IXTQ18N60P-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 18A TO3P
详细描述:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-3P
库存:
12821417
请求报价
数量
最低1
最低1
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
我们将在24小时内回复您
提交
IXTQ18N60P 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Littelfuse
包装
Tube
系列
Polar
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
600 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
18A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
420mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
5.5V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
2500 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
360W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-3P
包装 / 外壳
TO-3P-3, SC-65-3
基本产品编号
IXTQ18
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
30
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
数字证书
相关产品
IXTA1R4N120P
MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO263
IXTP8N65X2
MOSFET N-CH 650V 8A TO220
IXFH13N90
MOSFET N-CH 900V 13A TO247AD
