制造商产品编号:
HN1C01FU-Y,LF
Product Overview
制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
零件编号:
HN1C01FU-Y,LF-DG
描述:
NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO50
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 80MHz 200mW Surface Mount US6
库存:
24787 件 新原装 现货
12889131
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HN1C01FU-Y,LF 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 双极晶体管阵列
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
晶体管类型
2 NPN (Dual)
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
150mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
50V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
250mV @ 10mA, 100mA
电流 - 集电极截止（最大值）
100nA (ICBO)
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
120 @ 2mA, 6V
功率 - 最大值
200mW
频率 - 过渡
80MHz
工作温度
125°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商设备包
US6
基本产品编号
HN1C01
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
HN1C01FU-YLFDKR
HN1C01FU-Y,LF(B
HN1C01FU-YLFCT
HN1C01FU-YLFTR
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
数字证书
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