制造商产品编号:
HN3C51F-GR(TE85L,F
Product Overview
制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
零件编号:
HN3C51F-GR(TE85L,F-DG
描述:
TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SM6
库存:
12889166
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HN3C51F-GR(TE85L,F 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 双极晶体管阵列
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
2 NPN (Dual)
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
120V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
300mV @ 1mA, 10mA
电流 - 集电极截止（最大值）
100nA (ICBO)
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
200 @ 2mA, 6V
功率 - 最大值
300mW
频率 - 过渡
100MHz
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
SC-74, SOT-457
供应商设备包
SM6
基本产品编号
HN3C51
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
HN3C51FGR(TE85LFTR
HN3C51F-GR(TE85LF)CT-DG
HN3C51F-GR(TE85LF)TR-DG
HN3C51F-GR(TE85LFDKR
HN3C51F-GR(TE85LF)TR
HN3C51F-GR(TE85LFTR
HN3C51F-GR(TE85L,F)
HN3C51FGR(TE85LFTR-DG
HN3C51F-GRTE85LF
HN3C51F-GR(TE85LFCT
HN3C51F-GR(TE85LF)CT
HN3C51F-GR(TE85LF)DKR
HN3C51F-GR(TE85LF)DKR-DG
环境与出口分类
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
数字证书
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