制造商产品编号:
HN3A51F(TE85L,F)
Product Overview
制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
零件编号:
HN3A51F(TE85L,F)-DG
描述:
TRANS 2PNP 120V 0.1A SM6
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SM6
库存:
12889344
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HN3A51F(TE85L,F) 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 双极晶体管阵列
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
2 PNP (Dual)
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
120V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
300mV @ 1mA, 10mA
电流 - 集电极截止（最大值）
100nA (ICBO)
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
200 @ 2mA, 6V
功率 - 最大值
300mW
频率 - 过渡
100MHz
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
SC-74, SOT-457
供应商设备包
SM6
基本产品编号
HN3A51
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
HN3A51F(TE85LF)CT
HN3A51FTE85LF
HN3A51F(TE85LF)TR
HN3A51F (TE85L,F)
HN3A51F(TE85LF)DKR
环境与出口分类
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
替代模型
零件编号
2SA1587-GR,LF
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用数量
37024
部件编号
2SA1587-GR,LF-DG
单价
0.02
替代类型
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