制造商产品编号:
R6007ENX
Product Overview
制造商:
Rohm Semiconductor
零件编号:
R6007ENX-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
详细描述:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
库存:
129 件 新原装 现货
13524399
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R6007ENX 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
ROHM Semiconductor
包装
Bulk
系列
-
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
600 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
7A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
620mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 1mA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
390 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
40W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-220FM
包装 / 外壳
TO-220-3 Full Pack
基本产品编号
R6007
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
500
其他名称
R6007ENXCT-ND
R6007ENXCT
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
IPAN65R650CEXKSA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
462
部件编号
IPAN65R650CEXKSA1-DG
单价
0.43
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0.66
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