R6009ENX
制造商产品编号:

R6009ENX

Product Overview

制造商:

Rohm Semiconductor

零件编号:

R6009ENX-DG

描述:

MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
详细描述:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM

库存:

395 件 新原装 现货
13524402
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R6009ENX 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
ROHM Semiconductor
包装
Bulk
系列
-
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
600 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
9A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
535mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 1mA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
430 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
40W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-220FM
包装 / 外壳
TO-220-3 Full Pack
基本产品编号
R6009

数据表和文档

数据表

附加信息

标准套餐
500
其他名称
R6009ENXCT
R6009ENXCT-ND

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
SPA11N80C3XKSA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
2180
部件编号
SPA11N80C3XKSA1-DG
单价
1.26
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