MUN2111T3
制造商产品编号:

MUN2111T3

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

MUN2111T3-DG

描述:

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 230 mW Surface Mount SC-59

库存:

12852867
请求报价
数量
最低1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
提交

MUN2111T3 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 单极型预偏置双极晶体管
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
PNP - Pre-Biased
电流 - 集电极 (Ic) (Max)
100 mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大值)
50 V
电阻器 - 基座 (R1)
10 kOhms
电阻器 - 发射极基极 (R2)
10 kOhms
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
35 @ 5mA, 10V
Vce 饱和度(最大值) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大值)
500nA
功率 - 最大值
230 mW
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商设备包
SC-59
基本产品编号
MUN2111

附加信息

标准套餐
10,000
其他名称
2156-MUN2111T3-ONTR
ONSONSMUN2111T3

环境与出口分类

RoHS 状态
RoHS non-compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

替代模型

零件编号
MUN2111T1G
制造商
onsemi
可用数量
11729
部件编号
MUN2111T1G-DG
单价
0.02
替代类型
Direct
零件编号
PDTA114ET,235
制造商
NXP USA Inc.
可用数量
154808
部件编号
PDTA114ET,235-DG
单价
0.02
替代类型
Upgrade
零件编号
PDTA114EU,135
制造商
Nexperia USA Inc.
可用数量
9516
部件编号
PDTA114EU,135-DG
单价
0.01
替代类型
Similar
零件编号
DTA114ECAT116
制造商
Rohm Semiconductor
可用数量
0
部件编号
DTA114ECAT116-DG
单价
0.07
替代类型
Similar
零件编号
BCR183E6327HTSA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
111589
部件编号
BCR183E6327HTSA1-DG
单价
0.03
替代类型
Upgrade
数字证书
相关产品
onsemi

MUN5116T1

TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3

onsemi

MUN5115T1

TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3

onsemi

MUN2211JT1G

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59

infineon-technologies

BCR119WE6327HTSA1

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323