MUN2211JT1G
制造商产品编号:

MUN2211JT1G

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

MUN2211JT1G-DG

描述:

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 230 mW Surface Mount SC-59

库存:

12853007
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MUN2211JT1G 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 单极型预偏置双极晶体管
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
NPN - Pre-Biased
电流 - 集电极 (Ic) (Max)
100 mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大值)
50 V
电阻器 - 基座 (R1)
10 kOhms
电阻器 - 发射极基极 (R2)
10 kOhms
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
35 @ 5mA, 10V
Vce 饱和度(最大值) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大值)
500nA
功率 - 最大值
230 mW
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商设备包
SC-59
基本产品编号
MUN2211

附加信息

标准套餐
3,000
其他名称
2156-MUN2211JT1G-ONTR
ONSONSMUN2211JT1G

环境与出口分类

湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

替代模型

零件编号
DTC114ECA-TP
制造商
Micro Commercial Co
可用数量
578
部件编号
DTC114ECA-TP-DG
单价
0.01
替代类型
Direct
零件编号
DTD113EKT146
制造商
Rohm Semiconductor
可用数量
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DTD113EKT146-DG
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0.01
替代类型
Upgrade
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