MUN5115T1
制造商产品编号:

MUN5115T1

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

MUN5115T1-DG

描述:

TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 202 mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)

库存:

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MUN5115T1 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 单极型预偏置双极晶体管
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
PNP - Pre-Biased
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
100 mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
50 V
电阻器 - 基座 （R1）
10 kOhms
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
160 @ 5mA, 10V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
250mV @ 1mA, 10mA
电流 - 集电极截止（最大值）
500nA
功率 - 最大值
202 mW
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
SC-70, SOT-323
供应商设备包
SC-70-3 (SOT323)
基本产品编号
MUN5115

附加信息

标准套餐
3,000
其他名称
2156-MUN5115T1-ONTR-DG
2156-MUN5115T1
ONSONSMUN5115T1

环境与出口分类

RoHS 状态
RoHS non-compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

替代模型

零件编号
RN2311(TE85L,F)
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用数量
2610
部件编号
RN2311(TE85L,F)-DG
单价
0.05
替代类型
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单价
0.02
替代类型
Direct
零件编号
MUN5115DW1T1G
制造商
onsemi
可用数量
30
部件编号
MUN5115DW1T1G-DG
单价
0.03
替代类型
Direct
数字证书
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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