制造商产品编号:
FCPF650N80Z
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
FCPF650N80Z-DG
描述:
MOSFET N-CH 800V 8A TO220F
详细描述:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 30.5W (Tc) Through Hole TO-220F-3
库存:
986 件 新原装 现货
12851558
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FCPF650N80Z 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
Tube
系列
SuperFET® II
产品状态
Not For New Designs
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
800 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
8A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4.5V @ 800µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
1565 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
30.5W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-220F-3
包装 / 外壳
TO-220-3 Full Pack
基本产品编号
FCPF650
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
50
其他名称
ONSONSFCPF650N80Z
2156-FCPF650N80Z-OS
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
Not Applicable
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
TK8A65D(STA4,Q,M)
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用数量
53
部件编号
TK8A65D(STA4,Q,M)-DG
单价
0.92
替代类型
Similar
零件编号
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制造商
Infineon Technologies
可用数量
383
部件编号
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单价
0.42
替代类型
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