制造商产品编号:
TK8A65D(STA4,Q,M)
Product Overview
制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
零件编号:
TK8A65D(STA4,Q,M)-DG
描述:
MOSFET N-CH 650V 8A TO220SIS
详细描述:
N-Channel 650 V 8A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
库存:
53 件 新原装 现货
12890567
请求报价
数量
最低1
最低1
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
我们将在24小时内回复您
提交
TK8A65D(STA4,Q,M) 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包装
Bulk
系列
π-MOSVII
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
650 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
8A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
840mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 1mA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
1350 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
45W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-220SIS
包装 / 外壳
TO-220-3 Full Pack
基本产品编号
TK8A65
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
50
其他名称
TK8A65D(STA4QM)
TK8A65D(Q)
TK8A65DSTA4QM
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
相关产品
TK11A60D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 600V 11A TO220SIS
TK31A60W,S4VX
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220SIS
TPCA8028-H(TE12LQM
MOSFET N-CH 30V 50A 8SOP
