2N7000RLRAG
制造商产品编号:

2N7000RLRAG

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

2N7000RLRAG-DG

描述:

MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
详细描述:
N-Channel 60 V 200mA (Ta) 350mW (Tc) Through Hole TO-92 (TO-226)

库存:

12835333
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2N7000RLRAG 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
60 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
3V @ 1mA
Vgs (最大值)
±20V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
60 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
350mW (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-92 (TO-226)
包装 / 外壳
TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
基本产品编号
2N7000

附加信息

标准套餐
2,000
其他名称
2N7000RLRAGOSCT
2N7000RLRAGOSTR

环境与出口分类

湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

替代模型

零件编号
BS170-D27Z
制造商
onsemi
可用数量
2869
部件编号
BS170-D27Z-DG
单价
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