2N7000TA
制造商产品编号:

2N7000TA

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

2N7000TA-DG

描述:

MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
详细描述:
N-Channel 60 V 200mA (Tc) 400mW (Ta) Through Hole TO-92-3

库存:

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2N7000TA 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
Tape & Box (TB)
系列
-
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
60 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
200mA (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3V @ 1mA
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
50 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
400mW (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-92-3
包装 / 外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
基本产品编号
2N7000

数据表和文档

数据表
2N7000 Datasheet

附加信息

标准套餐
2,000
其他名称
2N7000TATB
2N7000TATR
2N7000TACT
2N7000TA_T
2N7000TA-DG
2N7000TATR-DG

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
Not Applicable
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

替代模型

零件编号
VN10LP
制造商
Diodes Incorporated
可用数量
5433
部件编号
VN10LP-DG
单价
0.26
替代类型
Similar
零件编号
VN10LPSTZ
制造商
Diodes Incorporated
可用数量
0
部件编号
VN10LPSTZ-DG
单价
0.27
替代类型
Similar
零件编号
2N7000
制造商
Diotec Semiconductor
可用数量
146004
部件编号
2N7000-DG
单价
0.03
替代类型
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数字证书
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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