BS108ZL1G
制造商产品编号:

BS108ZL1G

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

BS108ZL1G-DG

描述:

MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
详细描述:
N-Channel 200 V 250mA (Ta) 350mW (Ta) Through Hole TO-92 (TO-226)

库存:

12835360
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BS108ZL1G 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
200 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
250mA (Ta)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
2V, 2.8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8Ohm @ 100mA, 2.8V
Vgs(th) (最大值) @ Id
1.5V @ 1mA
Vgs (最大值)
±20V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
150 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
350mW (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-92 (TO-226)
包装 / 外壳
TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
基本产品编号
BS108

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
2,000
其他名称
BS108ZL1GOSTB
BS108ZL1GOS-DG
BS108ZL1GOSCT
BS108ZL1GOS

环境与出口分类

湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

替代模型

零件编号
TN0620N3-G
制造商
Microchip Technology
可用数量
292
部件编号
TN0620N3-G-DG
单价
1.16
替代类型
Direct
数字证书
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