DCX114EH-7
制造商产品编号:

DCX114EH-7

Product Overview

制造商:

Diodes Incorporated

零件编号:

DCX114EH-7-DG

描述:

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-563

库存:

389 件 新原装 现货
12887456
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DCX114EH-7 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 双极晶体管阵列,预偏置
制造商
Diodes Incorporated
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
晶体管类型
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
电流 - 集电极 (Ic) (Max)
100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大值)
50V
电阻器 - 基座 (R1)
10kOhms
电阻器 - 发射极基极 (R2)
10kOhms
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
30 @ 5mA, 5V
Vce 饱和度(最大值) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大值)
500nA
频率 - 过渡
250MHz
功率 - 最大值
150mW
年级
-
资格
-
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
SOT-563, SOT-666
供应商设备包
SOT-563
基本产品编号
DCX114

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
3,000
其他名称
DCX114EH-7DIDKR
DCX114EH-7-DG
DCX114EH-7DITR
-DCX114EH-7DITR
DCX114EH-7DICT
-DCX114EH-7DICT
-DCX114EH-7DIDKR

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

替代模型

零件编号
PEMD3,115
制造商
Nexperia USA Inc.
可用数量
4000
部件编号
PEMD3,115-DG
单价
0.07
替代类型
MFR Recommended
零件编号
RN4982FE,LF(CT
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用数量
3035
部件编号
RN4982FE,LF(CT-DG
单价
0.02
替代类型
MFR Recommended
零件编号
RN1905FE,LF(CT
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用数量
133
部件编号
RN1905FE,LF(CT-DG
单价
0.02
替代类型
MFR Recommended
零件编号
RN4905FE,LF(CT
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用数量
4000
部件编号
RN4905FE,LF(CT-DG
单价
0.02
替代类型
MFR Recommended
零件编号
PEMD10,115
制造商
Nexperia USA Inc.
可用数量
3805
部件编号
PEMD10,115-DG
单价
0.06
替代类型
MFR Recommended
数字证书
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