制造商产品编号:
EMF21-7
Product Overview
制造商:
Diodes Incorporated
零件编号:
EMF21-7-DG
描述:
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 280MHz 300mW Surface Mount SOT-563
库存:
12887512
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EMF21-7 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 双极晶体管阵列，预偏置
制造商
Diodes Incorporated
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
100mA, 500mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
50V, 12V
电阻器 - 基座 （R1）
10kOhms
电阻器 - 发射极基极 （R2）
10kOhms
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
电流 - 集电极截止（最大值）
500nA
频率 - 过渡
250MHz, 280MHz
功率 - 最大值
300mW
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
SOT-563, SOT-666
供应商设备包
SOT-563
基本产品编号
EMF21
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
EMF21-7-DG
EMF21DIDKR
EMF21DITR
EMF217
EMF21DICT
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
数字证书
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