制造商产品编号:
RN1905FE,LF(CT
Product Overview
制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
零件编号:
RN1905FE,LF(CT-DG
描述:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
库存:
133 件 新原装 现货
12890930
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RN1905FE,LF(CT 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 双极晶体管阵列，预偏置
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
晶体管类型
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
50V
电阻器 - 基座 （R1）
2.2kOhms
电阻器 - 发射极基极 （R2）
47kOhms
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
300mV @ 250µA, 5mA
电流 - 集电极截止（最大值）
500nA
频率 - 过渡
250MHz
功率 - 最大值
100mW
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
SOT-563, SOT-666
供应商设备包
ES6
基本产品编号
RN1905
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
4,000
其他名称
RN1905FE(TE85LF)TR-DG
RN1905FE(TE85LF)DKR-DG
RN1905FE(TE85LF)CT-DG
RN1905FELF(CBDKR
RN1905FELF(CBTR-DG
RN1905FELF(CBCT
RN1905FELF(CTTR
RN1905FELF(CBDKR-DG
RN1905FE,LF(CB
RN1905FE(TE85LF)TR
RN1905FELF(CTCT
RN1905FE(TE85LF)DKR
RN1905FELF(CBCT-DG
RN1905FE(TE85L,F)
RN1905FELF(CBTR
RN1905FELF(CTDKR
RN1905FE(TE85LF)CT
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
替代模型
数字证书
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