制造商产品编号:
SUM70040E-GE3
Product Overview
制造商:
Vishay Siliconix
零件编号:
SUM70040E-GE3-DG
描述:
MOSFET N-CH 100V 120A TO263
详细描述:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
库存:
1 件 新原装 现货
13060136
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SUM70040E-GE3 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Vishay
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
100 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
120A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
5100 pF @ 50 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
375W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
TO-263 (D2PAK)
包装 / 外壳
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本产品编号
SUM70040
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
800
其他名称
SUM70040E-GE3DKR
SUM70040E-GE3TR
SUM70040E-GE3CT
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
IPB042N10N3GATMA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
40835
部件编号
IPB042N10N3GATMA1-DG
单价
1.13
替代类型
MFR Recommended
零件编号
IRLS4030TRLPBF
制造商
Infineon Technologies
可用数量
1350
部件编号
IRLS4030TRLPBF-DG
单价
1.89
替代类型
MFR Recommended
数字证书
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