制造商产品编号:
STH180N10F3-2
Product Overview
制造商:
STMicroelectronics
零件编号:
STH180N10F3-2-DG
描述:
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
详细描述:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 315W (Tc) Surface Mount H2PAK-2
库存:
12875431
请求报价
数量
最低1
最低1
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
我们将在24小时内回复您
提交
STH180N10F3-2 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
STMicroelectronics
包装
Tape & Reel (TR)
系列
STripFET™ III
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
100 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
180A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 60A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
114.6 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
6665 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
315W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
H2PAK-2
包装 / 外壳
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本产品编号
STH180
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
1,000
其他名称
497-11216-6
497-11216-2
497-11216-1
STH180N10F32
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
IRFS4010TRLPBF
制造商
Infineon Technologies
可用数量
31872
部件编号
IRFS4010TRLPBF-DG
单价
1.57
替代类型
Similar
零件编号
PSMN3R8-100BS,118
制造商
Nexperia USA Inc.
可用数量
16656
部件编号
PSMN3R8-100BS,118-DG
单价
1.54
替代类型
Similar
零件编号
IPB049N08N5ATMA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
1859
部件编号
IPB049N08N5ATMA1-DG
单价
0.92
替代类型
Similar
零件编号
PSMN5R6-100BS,118
制造商
Nexperia USA Inc.
可用数量
3193
部件编号
PSMN5R6-100BS,118-DG
单价
1.27
替代类型
Similar
数字证书
相关产品
STFU16N65M2
MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
STW20NK50Z
MOSFET N-CH 500V 17A TO247-3
STD6N80K5
MOSFET N-CH 800V 4.5A DPAK
