制造商产品编号:
SI2304BDS-T1-GE3
Product Overview
制造商:
Vishay Siliconix
零件编号:
SI2304BDS-T1-GE3-DG
描述:
MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
详细描述:
N-Channel 30 V 2.6A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
库存:
65573 件 新原装 现货
13061024
请求报价
数量
最低1
最低1
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
我们将在24小时内回复您
提交
SI2304BDS-T1-GE3 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Vishay
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
Last Time Buy
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
30 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
2.6A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
70mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
4 nC @ 5 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
225 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
750mW (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
SOT-23-3 (TO-236)
包装 / 外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
基本产品编号
SI2304
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
SI2304BDS-T1-GE3CT
SI2304BDS-T1-GE3DKR
SI2304BDST1GE3
SI2304BDS-T1-GE3TR
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
替代模型
零件编号
SI2304BDS-T1-E3
制造商
Vishay Siliconix
可用数量
26830
部件编号
SI2304BDS-T1-E3-DG
单价
0.09
替代类型
Parametric Equivalent
零件编号
ZXMN3B14FTA
制造商
Diodes Incorporated
可用数量
240982
部件编号
ZXMN3B14FTA-DG
单价
0.19
替代类型
MFR Recommended
零件编号
AO3406
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
可用数量
128714
部件编号
AO3406-DG
单价
0.06
替代类型
MFR Recommended
数字证书
相关产品
SI7430DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
SUM110N03-04P-E3
MOSFET N-CH 30V 110A TO263
SI2304BDS-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
