制造商产品编号:
SI7430DP-T1-GE3
Product Overview
制造商:
Vishay Siliconix
零件编号:
SI7430DP-T1-GE3-DG
描述:
MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
详细描述:
N-Channel 150 V 26A (Tc) 5.2W (Ta), 64W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
库存:
6014 件 新原装 现货
13061060
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SI7430DP-T1-GE3 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Vishay
包装
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
系列
-
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
150 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
26A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4.5V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
1735 pF @ 50 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
5.2W (Ta), 64W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
PowerPAK® SO-8
包装 / 外壳
PowerPAK® SO-8
基本产品编号
SI7430
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
SI7430DPT1GE3
SI7430DP-T1-GE3CT
SI7430DP-T1-GE3TR
SI7430DP-T1-GE3DKR
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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