制造商产品编号:
SQJ202EP-T1_GE3
Product Overview
制造商:
Vishay Siliconix
零件编号:
SQJ202EP-T1_GE3-DG
描述:
MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
详细描述:
Mosfet Array 12V 20A, 60A 27W, 48W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
库存:
2805 件 新原装 现货
12915807
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SQJ202EP-T1_GE3 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 场效应管, MOSFET阵列
制造商
Vishay
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
产品状态
Active
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual)
FET 特性
-
漏源电压 （Vdss）
12V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
20A, 60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
22nC @ 10V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
975pF @ 6V
功率 - 最大值
27W, 48W
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
年级
Automotive
资格
AEC-Q101
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
PowerPAK® SO-8 Dual
供应商设备包
PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
基本产品编号
SQJ202
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
742-SQJ202EP-T1_GE3DKR
SQJ202EP-T1_GE3DKR
SQJ202EP-T1_GE3CT-DG
SQJ202EP-T1_GE3TR-DG
SQJ202EP-T1_GE3TR
742-SQJ202EP-T1_GE3CT
SQJ202EP-T1_GE3CT
SQJ202EP-T1_GE3DKR-DG
742-SQJ202EP-T1_GE3TR
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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