SI5903DC-T1-GE3
制造商产品编号:

SI5903DC-T1-GE3

Product Overview

制造商:

Vishay Siliconix

零件编号:

SI5903DC-T1-GE3-DG

描述:

MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8
详细描述:
Mosfet Array 20V 2.1A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™

库存:

12915818
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SI5903DC-T1-GE3 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 场效应管, MOSFET阵列
制造商
Vishay
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
产品状态
Obsolete
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 P-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)
20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
2.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Vgs(th) (最大值) @ Id
600mV @ 250µA (Min)
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
-
功率 - 最大值
1.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
8-SMD, Flat Lead
供应商设备包
1206-8 ChipFET™
基本产品编号
SI5903

数据表和文档

附加信息

标准套餐
3,000

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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