制造商产品编号:
SSM3J66MFV,L3F
Product Overview
制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
零件编号:
SSM3J66MFV,L3F-DG
描述:
MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
详细描述:
P-Channel 20 V 800mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
库存:
6318 件 新原装 现货
12889181
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SSM3J66MFV,L3F 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包装
Tape & Reel (TR)
系列
U-MOSVI
产品状态
Active
FET 类型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
20 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
800mA (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
390mOhm @ 800mA, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1V @ 1mA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
1.6 nC @ 4.5 V
Vgs （最大值）
+6V, -8V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
100 pF @ 10 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
150mW (Ta)
工作温度
150°C
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
VESM
包装 / 外壳
SOT-723
基本产品编号
SSM3J66
数据表和文档
附加信息
标准套餐
8,000
其他名称
264-SSM3J66MFV,L3FCT
SSM3J66MFVL3FDKR-DG
SSM3J66MFVL3FTR-DG
SSM3J66MFVL3FDKR
SSM3J66MFVL3FCT-DG
264-SSM3J66MFV,L3FDKR
SSM3J66MFV,L3F(B
SSM3J66MFVL3FTR
264-SSM3J66MFV,L3FTR
SSM3J66MFVL3FCT
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
替代模型
零件编号
SSM3J66MFV,L3XHF
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用数量
14411
部件编号
SSM3J66MFV,L3XHF-DG
单价
0.04
替代类型
Parametric Equivalent
数字证书
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