HN4B01JE(TE85L,F)
制造商产品编号:

HN4B01JE(TE85L,F)

Product Overview

制造商:

Toshiba Semiconductor and Storage

零件编号:

HN4B01JE(TE85L,F)-DG

描述:

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP (Emitter Coupled) 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ESV

库存:

3440 件 新原装 现货
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HN4B01JE(TE85L,F) 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 双极晶体管阵列
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
晶体管类型
NPN, PNP (Emitter Coupled)
电流 - 集电极 (Ic) (Max)
150mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大值)
50V
Vce 饱和度(最大值) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
电流 - 集电极截止(最大值)
100nA (ICBO)
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
120 @ 2mA, 6V
功率 - 最大值
100mW
频率 - 过渡
80MHz
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
SOT-553
供应商设备包
ESV
基本产品编号
HN4B01

数据表和文档

数据表

附加信息

标准套餐
4,000
其他名称
HN4B01JETE85LF
HN4B01JE(TE85LF)TR
HN4B01JE(TE85LF)DKR
HN4B01JE (TE85L,F)
HN4B01JE(TE85LF)CT

环境与出口分类

RoHS 状态
RoHS Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

替代模型

零件编号
FMY1AT148
制造商
Rohm Semiconductor
可用数量
175
部件编号
FMY1AT148-DG
单价
0.10
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