HN1A01F-Y(TE85L,F)
制造商产品编号:

HN1A01F-Y(TE85L,F)

Product Overview

制造商:

Toshiba Semiconductor and Storage

零件编号:

HN1A01F-Y(TE85L,F)-DG

描述:

TRANS 2PNP 50V 0.15A SM6
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 80MHz 300mW Surface Mount SM6

库存:

12891374
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HN1A01F-Y(TE85L,F) 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 双极晶体管阵列
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包装
-
系列
-
产品状态
Active
晶体管类型
2 PNP (Dual)
电流 - 集电极 (Ic) (Max)
150mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大值)
50V
Vce 饱和度(最大值) @ Ib, Ic
300mV @ 10mA, 100mA
电流 - 集电极截止(最大值)
100nA (ICBO)
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
120 @ 2mA, 6V
功率 - 最大值
300mW
频率 - 过渡
80MHz
工作温度
125°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
SC-74, SOT-457
供应商设备包
SM6
基本产品编号
HN1A01

数据表和文档

数据表

附加信息

标准套餐
3,000
其他名称
HN1A01F-Y(TE85LF)DKR
HN1A01F-Y(TE85LF)CT
HN1A01F-Y(TE85LF)TR

环境与出口分类

RoHS 状态
RoHS Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

替代模型

零件编号
UMT1NTN
制造商
Rohm Semiconductor
可用数量
18393
部件编号
UMT1NTN-DG
单价
0.06
替代类型
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零件编号
UMT1NFHATN
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可用数量
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单价
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