HN1B04FU-Y(T5L,F,T
制造商产品编号:

HN1B04FU-Y(T5L,F,T

Product Overview

制造商:

Toshiba Semiconductor and Storage

零件编号:

HN1B04FU-Y(T5L,F,T-DG

描述:

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 150MHz 200mW Surface Mount US6

库存:

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HN1B04FU-Y(T5L,F,T 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 双极晶体管阵列
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包装
-
系列
-
产品状态
Active
晶体管类型
NPN, PNP
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
150mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
50V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
250mV @ 10mA, 100mA
电流 - 集电极截止（最大值）
100nA (ICBO)
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
120 @ 2mA, 6V
功率 - 最大值
200mW
频率 - 过渡
150MHz
工作温度
125°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商设备包
US6
基本产品编号
HN1B04

数据表和文档

数据表
HN1B04FU

附加信息

标准套餐
3,000
其他名称
HN1B04FU-Y(T5LFTCT
HN1B04FU-Y(T5LFTDKR
HN1B04FU-Y(T5LFTTR

环境与出口分类

RoHS 状态
RoHS Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

替代模型

零件编号
UMZ1NT1G
制造商
onsemi
可用数量
11000
部件编号
UMZ1NT1G-DG
单价
0.03
替代类型
Similar
零件编号
UMZ1NTR
制造商
Rohm Semiconductor
可用数量
109445
部件编号
UMZ1NTR-DG
单价
0.05
替代类型
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数字证书
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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