HN1C03FU-A(TE85L,F
制造商产品编号:

HN1C03FU-A(TE85L,F

Product Overview

制造商:

Toshiba Semiconductor and Storage

零件编号:

HN1C03FU-A(TE85L,F-DG

描述:

TRANS 2NPN 20V 0.3A US6
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 20V 300mA 30MHz 200mW Surface Mount US6

库存:

12889810
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HN1C03FU-A(TE85L,F 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 双极晶体管阵列
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
晶体管类型
2 NPN (Dual)
电流 - 集电极 (Ic) (Max)
300mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大值)
20V
Vce 饱和度(最大值) @ Ib, Ic
100mV @ 3mA, 30mA
电流 - 集电极截止(最大值)
100nA (ICBO)
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
200 @ 4mA, 2V
功率 - 最大值
200mW
频率 - 过渡
30MHz
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商设备包
US6
基本产品编号
HN1C03

数据表和文档

数据表

附加信息

标准套餐
3,000
其他名称
HN1C03FU-A(TE85LFDKR
HN1C03FU-A(TE85LFCT
HN1C03FU-A(TE85LFTR

环境与出口分类

RoHS 状态
RoHS Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

替代模型

零件编号
QSX8TR
制造商
Rohm Semiconductor
可用数量
300
部件编号
QSX8TR-DG
单价
0.17
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