HN1B04F(TE85L,F)
制造商产品编号:

HN1B04F(TE85L,F)

Product Overview

制造商:

Toshiba Semiconductor and Storage

零件编号:

HN1B04F(TE85L,F)-DG

描述:

TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SM6
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 30V 500mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6

库存:

12890515
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HN1B04F(TE85L,F) 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 双极晶体管阵列
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
NPN, PNP
电流 - 集电极 (Ic) (Max)
500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大值)
30V
Vce 饱和度(最大值) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
电流 - 集电极截止(最大值)
100nA (ICBO)
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
70 @ 100mA, 1V
功率 - 最大值
300mW
频率 - 过渡
200MHz
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
SC-74, SOT-457
供应商设备包
SM6
基本产品编号
HN1B04

附加信息

标准套餐
3,000
其他名称
HN1B04F(TE85LF)TR
HN1B04F(TE85LF)CT
HN1B04F (TE85L,F)
HN1B04F(TE85LF)DKR

环境与出口分类

湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

替代模型

零件编号
FMB2227A
制造商
onsemi
可用数量
75
部件编号
FMB2227A-DG
单价
0.10
替代类型
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