制造商产品编号:
HN1B04F(TE85L,F)
Product Overview
制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
零件编号:
HN1B04F(TE85L,F)-DG
描述:
TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SM6
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 30V 500mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6
库存:
12890515
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HN1B04F(TE85L,F) 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 双极晶体管阵列
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
NPN, PNP
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
500mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
30V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
250mV @ 10mA, 100mA
电流 - 集电极截止（最大值）
100nA (ICBO)
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
70 @ 100mA, 1V
功率 - 最大值
300mW
频率 - 过渡
200MHz
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
SC-74, SOT-457
供应商设备包
SM6
基本产品编号
HN1B04
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
HN1B04F(TE85LF)TR
HN1B04F(TE85LF)CT
HN1B04F (TE85L,F)
HN1B04F(TE85LF)DKR
环境与出口分类
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
替代模型
数字证书
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