制造商产品编号:
ULN2803APG,CN
Product Overview
制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
零件编号:
ULN2803APG,CN-DG
描述:
TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA 1.47W Through Hole 18-DIP
库存:
12890637
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ULN2803APG,CN 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 双极晶体管阵列
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
8 NPN Darlington
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
500mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
50V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
1.6V @ 500µA, 350mA
电流 - 集电极截止（最大值）
-
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
1000 @ 350mA, 2V
功率 - 最大值
1.47W
频率 - 过渡
-
工作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
安装类型
Through Hole
包装 / 外壳
18-DIP (0.300", 7.62mm)
供应商设备包
18-DIP
基本产品编号
ULN2803
附加信息
标准套餐
800
其他名称
ULN2803APG(O,N,HZN
ULN2803APGONHZN
ULN2803APG(ONHZA-DG
ULN2803APG
ULN2803APG-DG
ULN2803APG(CNHZN)-DG
ULN2803APGCN
ULN2803APG(OM)
ULN2803APG(5,M)
ULN2803APG(OM)-DG
ULN2803APG(ONHZA
ULN2803APG(CNHZN)
ULN2803APG(O,M)
ULN2803APG(O,N,HZA
ULN2803APG(ONHZN
ULN2803APG(ONHZN-DG
环境与出口分类
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
替代模型
零件编号
TBD62083APG
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用数量
0
部件编号
TBD62083APG-DG
单价
0.55
替代类型
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