制造商产品编号:
HN1A01FE-GR,LF
Product Overview
制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
零件编号:
HN1A01FE-GR,LF-DG
描述:
TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6
库存:
3988 件 新原装 现货
12891219
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HN1A01FE-GR,LF 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 双极晶体管阵列
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
晶体管类型
2 PNP (Dual)
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
150mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
50V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
300mV @ 10mA, 100mA
电流 - 集电极截止（最大值）
100nA (ICBO)
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
200 @ 2mA, 6V
功率 - 最大值
100mW
频率 - 过渡
80MHz
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
SOT-563, SOT-666
供应商设备包
ES6
基本产品编号
HN1A01
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
4,000
其他名称
HN1A01FE-GR(5LFTDKR
HN1A01FE-GR(5L,F,T
HN1A01FE-GRLF(BCT
HN1A01FE-GR(5LFTDKR-DG
HN1A01FE-GR(5LFTTR
HN1A01FE-GRLFCTINACTIVE
HN1A01FE-GRLFTR
HN1A01FE-GRLFTRINACTIVE
HN1A01FE-GRLFDKR
HN1A01FE-GR,LF(T
HN1A01FE-GRLF(BTR
HN1A01FEGRLFTR-DG
HN1A01FE-GR(5LFTCT-DG
HN1A01FE-GRLF(BTR-DG
HN1A01FEGRLFTR
HN1A01FE-GR(5LFTCT
HN1A01FE-GRLF(BCT-DG
HN1A01FE-GRLFDKRINACTIVE
HN1A01FE-GRLFCT
HN1A01FE-GRLF(BDKR
HN1A01FE-GRLF(BDKR-DG
HN1A01FE-GR(5LFTTR-DG
HN1A01FE-GR,LF(B
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
替代模型
数字证书
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