STP5N120
制造商产品编号:

STP5N120

Product Overview

制造商:

STMicroelectronics

零件编号:

STP5N120-DG

描述:

MOSFET N-CH 1200V 4.7A TO220-3
详细描述:
N-Channel 1200 V 4.7A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220

库存:

12877104
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STP5N120 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
STMicroelectronics
包装
-
系列
SuperMESH™
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
1200 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
4.7A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5Ohm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
5V @ 100µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±30V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
120 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
160W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-220
包装 / 外壳
TO-220-3
基本产品编号
STP5N

数据表和文档

数据表

附加信息

标准套餐
50
其他名称
STP5N120-DG
497-8811-5

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
IXFP6N120P
制造商
IXYS
可用数量
171
部件编号
IXFP6N120P-DG
单价
5.19
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