STP33N60DM2
制造商产品编号:

STP33N60DM2

Product Overview

制造商:

STMicroelectronics

零件编号:

STP33N60DM2-DG

描述:

MOSFET N-CH 600V 24A TO220
详细描述:
N-Channel 600 V 24A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220

库存:

3750 件 新原装 现货
12877112
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STP33N60DM2 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
STMicroelectronics
包装
Tube
系列
MDmesh™ DM2
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
600 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
24A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±25V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
1870 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
190W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-220
包装 / 外壳
TO-220-3
基本产品编号
STP33

附加信息

标准套餐
50
其他名称
497-16352-5

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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