制造商产品编号:
STP120N4F6
Product Overview
制造商:
STMicroelectronics
零件编号:
STP120N4F6-DG
描述:
MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
详细描述:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220
库存:
12873231
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STP120N4F6 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
STMicroelectronics
包装
Tube
系列
DeepGATE™, STripFET™ VI
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
40 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
80A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.3mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
3850 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
110W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
年级
Automotive
资格
AEC-Q101
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-220
包装 / 外壳
TO-220-3
基本产品编号
STP120
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
50
其他名称
-497-10962-5
497-10962-5
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
IPP041N04NGXKSA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
531
部件编号
IPP041N04NGXKSA1-DG
单价
0.47
替代类型
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