STW28N60DM2
制造商产品编号:

STW28N60DM2

Product Overview

制造商:

STMicroelectronics

零件编号:

STW28N60DM2-DG

描述:

MOSFET N-CH 600V 21A TO247
详细描述:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-247-3

库存:

12873252
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STW28N60DM2 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
STMicroelectronics
包装
Tube
系列
MDmesh™ DM2
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
600 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
21A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
160mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±25V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
170W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-247-3
包装 / 外壳
TO-247-3
基本产品编号
STW28

附加信息

标准套餐
30
其他名称
497-16350-5
-497-16350-5

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
IXTH24N65X2
制造商
IXYS
可用数量
268
部件编号
IXTH24N65X2-DG
单价
2.98
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