STB12NM60N
制造商产品编号:

STB12NM60N

Product Overview

制造商:

STMicroelectronics

零件编号:

STB12NM60N-DG

描述:

MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
详细描述:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount D2PAK

库存:

在线询价
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STB12NM60N 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
STMicroelectronics
包装
-
系列
MDmesh™ II
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
600 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
10A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
410mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
30.5 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±25V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
960 pF @ 50 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
90W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
D2PAK
包装 / 外壳
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本产品编号
STB12N

附加信息

标准套餐
1,000
其他名称
STB12NM60N-DG
1805-STB12NM60NCT
497-7931-6
-497-7931-2
-497-7931-1
497-7931-2
1805-STB12NM60NTR
-497-7931-6
497-7931-1
1805-STB12NM60NDKR

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
R6011ENJTL
制造商
Rohm Semiconductor
可用数量
0
部件编号
R6011ENJTL-DG
单价
1.56
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1.14
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数字证书
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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