FCB11N60TM
制造商产品编号:

FCB11N60TM

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

FCB11N60TM-DG

描述:

MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
详细描述:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

库存:

135 件 新原装 现货
12835961
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FCB11N60TM 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
Tape & Reel (TR)
系列
SuperFET™
产品状态
Not For New Designs
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
600 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
11A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±30V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
1490 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
125W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
TO-263 (D2PAK)
包装 / 外壳
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本产品编号
FCB11N60

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
800
其他名称
2156-FCB11N60TM
FCB11N60TM_NLCT
FCB11N60TM_NLTR-DG
FCB11N60TMDKR
FCB11N60TM_NLCT-DG
FCB11N60TM_NL
FCB11N60TMCT
FCB11N60TMCT-NDR
FCB11N60TMTR
FCB11N60TM_NLTR
FCB11N60TMTR-NDR

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
IXTA12N65X2
制造商
IXYS
可用数量
0
部件编号
IXTA12N65X2-DG
单价
2.28
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