BUV21G
制造商产品编号:

BUV21G

Product Overview

制造商:

Sanyo

零件编号:

BUV21G-DG

描述:

SWITCHMODE NPN SILICON POWER TRA
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 200 V 40 A 8MHz 250 W Through Hole TO-204 (TO-3)

库存:

100 件 新原装 现货
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BUV21G 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
包装
Bulk
系列
SWITCHMODE™
产品状态
Active
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic) (Max)
40 A
电压 - 集电极发射极击穿(最大值)
200 V
Vce 饱和度(最大值) @ Ib, Ic
1.5V @ 3A, 25A
电流 - 集电极截止(最大值)
3mA
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
20 @ 12A, 2V
功率 - 最大值
250 W
频率 - 过渡
8MHz
工作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
安装类型
Through Hole
包装 / 外壳
TO-204AE
供应商设备包
TO-204 (TO-3)

数据表和文档

附加信息

标准套餐
21
其他名称
ONSONSBUV21G
2156-BUV21G

环境与出口分类

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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