制造商产品编号:
BUV21G
Product Overview
制造商:
Sanyo
零件编号:
BUV21G-DG
描述:
SWITCHMODE NPN SILICON POWER TRA
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 200 V 40 A 8MHz 250 W Through Hole TO-204 (TO-3)
库存:
100 件 新原装 现货
12946687
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BUV21G 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
包装
Bulk
系列
SWITCHMODE™
产品状态
Active
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
40 A
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
200 V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
1.5V @ 3A, 25A
电流 - 集电极截止（最大值）
3mA
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
20 @ 12A, 2V
功率 - 最大值
250 W
频率 - 过渡
8MHz
工作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
安装类型
Through Hole
包装 / 外壳
TO-204AE
供应商设备包
TO-204 (TO-3)
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
21
其他名称
ONSONSBUV21G
2156-BUV21G
环境与出口分类
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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