MJ11033G
制造商产品编号:

MJ11033G

Product Overview

制造商:

Fairchild Semiconductor

零件编号:

MJ11033G-DG

描述:

HIGH-CURRENT PNP SILICON POWER T
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 120 V 50 A 300 W Through Hole TO-204 (TO-3)

库存:

50 件 新原装 现货
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MJ11033G 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
包装
Bulk
系列
-
产品状态
Active
晶体管类型
PNP - Darlington
电流 - 集电极 (Ic) (Max)
50 A
电压 - 集电极发射极击穿(最大值)
120 V
Vce 饱和度(最大值) @ Ib, Ic
3.5V @ 500mA, 50A
电流 - 集电极截止(最大值)
2mA
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
1000 @ 25A, 5V
功率 - 最大值
300 W
频率 - 过渡
-
工作温度
-55°C ~ 200°C (TJ)
安装类型
Through Hole
包装 / 外壳
TO-204AE
供应商设备包
TO-204 (TO-3)

数据表和文档

附加信息

标准套餐
36
其他名称
ONSFSCMJ11033G
2156-MJ11033G

环境与出口分类

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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