制造商产品编号:
2SC2271E-AE
Product Overview
制造商:
Sanyo
零件编号:
2SC2271E-AE-DG
描述:
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 100 mA 50MHz 900 mW Through Hole 3-MP
库存:
6824 件 新原装 现货
12941616
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2SC2271E-AE 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
包装
Bulk
系列
-
产品状态
Active
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
100 mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
300 V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
600mV @ 2mA, 20mA
电流 - 集电极截止（最大值）
1µA (ICBO)
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
100 @ 10mA, 10V
功率 - 最大值
900 mW
频率 - 过渡
50MHz
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
包装 / 外壳
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
供应商设备包
3-MP
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
5,323
其他名称
ONSSNY2SC2271E-AE
2156-2SC2271E-AE
环境与出口分类
RoHS 状态
Not applicable
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
数字证书
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