制造商产品编号:
2SC3599E
Product Overview
制造商:
Sanyo
零件编号:
2SC3599E-DG
描述:
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 120 V 300 mA 500MHz 1.2 W Through Hole TO-126
库存:
4405 件 新原装 现货
12941634
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2SC3599E 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
包装
Bulk
系列
-
产品状态
Active
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
300 mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
120 V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
600mV @ 7mA, 70mA
电流 - 集电极截止（最大值）
100nA (ICBO)
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
100 @ 50mA, 10V
功率 - 最大值
1.2 W
频率 - 过渡
500MHz
工作温度
150°C (TJ)
年级
-
资格
-
安装类型
Through Hole
包装 / 外壳
TO-225AA, TO-126-3
供应商设备包
TO-126
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
460
其他名称
ONSSNY2SC3599E
2156-2SC3599E
环境与出口分类
RoHS 状态
Not applicable
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
数字证书
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