制造商产品编号:
RW1C015UNT2R
Product Overview
制造商:
Rohm Semiconductor
零件编号:
RW1C015UNT2R-DG
描述:
MOSFET N-CH 20V 1.5A 6WEMT
详细描述:
N-Channel 20 V 1.5A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT
库存:
13525367
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RW1C015UNT2R 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
ROHM Semiconductor
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
20 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
1.5A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1V @ 1mA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
1.8 nC @ 4.5 V
Vgs （最大值）
±10V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
110 pF @ 10 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
400mW (Ta)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
6-WEMT
包装 / 外壳
6-SMD, Flat Leads
基本产品编号
RW1C015
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
8,000
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
替代模型
零件编号
CMLDM7120G TR PBFREE
制造商
Central Semiconductor Corp
可用数量
2000
部件编号
CMLDM7120G TR PBFREE-DG
单价
0.22
替代类型
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