制造商产品编号:
RV2C010UNT2L
Product Overview
制造商:
Rohm Semiconductor
零件编号:
RV2C010UNT2L-DG
描述:
MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3
详细描述:
N-Channel 20 V 1A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount VML1006
库存:
2757 件 新原装 现货
13527498
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RV2C010UNT2L 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
ROHM Semiconductor
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
20 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
1A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
470mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1V @ 1mA
Vgs （最大值）
±8V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
40 pF @ 10 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
400mW (Ta)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
VML1006
包装 / 外壳
SC-101, SOT-883
基本产品编号
RV2C010
数据表和文档
附加信息
标准套餐
8,000
其他名称
RV2C010UNT2LCT
RV2C010UNT2LDKR
RV2C010UNT2LTR
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
替代模型
数字证书
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