制造商产品编号:
RS1E350BNTB1
Product Overview
制造商:
Rohm Semiconductor
零件编号:
RS1E350BNTB1-DG
描述:
NCH 30V 80A POWER MOSFET: RS1E35
详细描述:
N-Channel 30 V 35A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
库存:
2425 件 新原装 现货
12976072
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RS1E350BNTB1 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
ROHM Semiconductor
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
30 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
35A (Ta), 80A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 35A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 1mA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
185 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
7900 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
3W (Ta), 35W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
8-HSOP
包装 / 外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
RS1E
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
2,500
其他名称
846-RS1E350BNTB1CT
846-RS1E350BNTB1DKR
846-RS1E350BNTB1TR
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
RS1E350BNTB
制造商
Rohm Semiconductor
可用数量
810
部件编号
RS1E350BNTB-DG
单价
0.65
替代类型
Parametric Equivalent
零件编号
RS1E350BNTB1
制造商
Rohm Semiconductor
可用数量
2425
部件编号
RS1E350BNTB1-DG
单价
1.19
替代类型
Parametric Equivalent
数字证书
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